Η Qualcomm φαίνεται πως θα αποκαλύψει περισσότερες πληροφορίες για τον αναμενόμενο  Snapdragon 835 επεξεργαστή την επόμενη βδομάδα στο Consumer Electronics Show (CES) για το 2017 στο Las Vegas. Μάλιστα, σύμφωνα με αναφορές που υπάρχουν, υποστηρίζεται πως ο 835 θα βρίσκεται στο επίκεντρο της προσοχής σε αυτό το event.

Η εταιρία προηγουμένως αποκάλυψε πως ο Snapdragon 835 θα σχεδιαζόταν σύμφωνα με  την διαδικασία των 10-nanometer FinFET της Samsung. Επιπλέον, θα υποστήριζε την τεχνολογία Quick Charge 4, η οποία έχει σχεδιαστεί να φορτίζει την μπαταρία του smartphone για πέντε ώρες ζωής μόλις με πέντε λεπτά φόρτισης.

Μέχρι στιγμής, η Qualcomm δεν έχει ανακοινώσει κάτι που να αφορά το hardware κομμάτι του Snapdragon 835, όπως το clock speed και την επίδοση των γραφικών. Όμως ένα πρόσφατο benchmarking αποτέλεσμα της σελίδας GFXBench για ένα υποτιθέμενο 835 development board, ισχυρίζεται πως το chip έχει σχεδιασμό οχτώ πυρήνων με clock speed στα 2.2GHz και ότι η Adreno 540 GPU είναι 30% γρηγορότερη από την Adreno 530 chip. Ωστόσο, τα αποτελέσματα του online benchmarking μπορεί να είναι ψεύτικα και το development board πιθανότατα να διαφέρει από το τελικό προϊόν.

Ακαθόριστες φήμες λένε πως το πρώτο κινητό με τον 835 θα είναι το Samsung Galaxy S8, που λογικά θα κυκλοφορήσει κάποια στιγμή τον Απρίλιο.